Части супер машины сигареты короля Размера 7.8*100mm Irfz44nl Protos запасные

Транзистор полупроводниковое устройство используемое для того чтобы усилить или переключить электронные сигналы и электропитание. Транзисторы один из основных строительных блоков современной электроники. Она составлена материала полупроводника обычно с по крайней мере 3 терминалами для соединения с внешней цепью.

Радио транзистора кармана

Первое радио транзистора кармана «прототипа» было показано INTERMETALL (компанией основанной Херберт Mataré в 1952) на Internationale Funkausstellung Düsseldorf между 29-ое августа 1953 и 6-ого сентября 1953. Первое радио транзистора кармана «продукции» было регентством TR-1, выпущенным в октябре 1954.

MOSFET

Транзистор пол-влияния металл-окис-полупроводника (MOSFET), также известный как транзистор MOS, был изобретен Mohamed Atalla и Dawon Kahng в 1959. MOSFET был первым поистине компактным транзистором который смог быть миниатюризирован и масс-произведен для широкого диапазона польз. Со своей высокой масштабируемостью, и много более низкой плотности расхода энергии и высоких чем транзисторы двухполярного соединения, MOSFET сделал его возможным построить интегральные схемаы высокой плотности, позволяющ интеграции больше чем 10 000 транзисторов в одиночном IC.

Падение напряжения тока

Изображение представляет типичный двухполярный транзистор в цепи. Обязанность пропустит между излучателем и терминалами сборника в зависимости от течения в основании. Потому что внутренне соединения основания и излучателя поступают как диод полупроводника, падение напряжения тока превращается между основанием и излучателем пока ток базы существует. Количество этого напряжения тока зависит от материала транзистор сделан из и названо VBE.