Sasib 3000 Nano частей машины упаковки сигареты транзистора кремния Irfz44ns

Sasib 3000 Nano частей машины упаковки сигареты транзистора кремния Irfz44ns

Транзистор полупроводниковое устройство используемое для того чтобы усилить или переключить электронные сигналы и электропитание. Транзисторы один из основных строительных блоков современной электроники. Она составлена материала полупроводника обычно с по крайней мере 3 терминалами для соединения с внешней цепью.

Радио транзистора кармана

Первое радио транзистора кармана «прототипа» было показано INTERMETALL (компанией основанной Херберт Mataré в 1952) на Internationale Funkausstellung Düsseldorf между 29-ое августа 1953 и 6-ого сентября 1953. Первое радио транзистора кармана «продукции» было регентством TR-1, выпущенным в октябре 1954.

MOSFET

Транзистор пол-влияния металл-окис-полупроводника (MOSFET), также известный как транзистор MOS, был изобретен Mohamed Atalla и Dawon Kahng в 1959. MOSFET был первым поистине компактным транзистором который смог быть миниатюризирован и масс-произведен для широкого диапазона польз. Со своей высокой масштабируемостью, и много более низкой плотности расхода энергии и высоких чем транзисторы двухполярного соединения, MOSFET сделал его возможным построить интегральные схемаы высокой плотности, позволяющ интеграции больше чем 10 000 транзисторов в одиночном IC.

Упрощенная деятельность

Транзистор может использовать небольшой сигнал приложенный между одной парой своих терминалов для того чтобы контролировать гораздо больше сигнал на других парах терминалов. Это свойство вызвано увеличением. Оно может произвести более сильный выходной сигнал, напряжение тока или течение, которое пропорционально к более слабому входному сигналу и таким образом, оно может подействовать как усилитель. Альтернативно, транзистор можно использовать для того чтобы повернуть течение включено-выключено в цепи как электрически контролируемый переключатель.