|
|
| Наименование марки: | Upperbond |
| Номер модели: | Создатель |
| МОК: | 2 ПК |
| цена: | Подлежит обсуждению |
| Время доставки: | 5-8 дней |
| Условия оплаты: | T/T, западное соединение, , PayPal |
Mosfet Irfz44ns версии Через-отверстия модели Molins MK9 для машин Kretek
Транзистор полупроводниковое устройство используемое для того чтобы усилить или переключить электронные сигналы и электропитание. Транзисторы один из основных строительных блоков современной электроники. Она составлена материала полупроводника обычно с по крайней мере 3 терминалами для соединения с внешней цепью.
Оценки и характеристики Источник-стока
| Параметр | Тип | Максимальный. | |
| Непрерывное течение источника (диод тела) | — | 49 | |
| Изм | Пульсированное течение источника (диод тела)① | — | 160 |
| VsD | Пропускное напряжение диода | — | 1,3 |
| trr | Обратное время восстановления | 63 | 95 |
| Qrr | Обратная обязанность спасения | 170 | 260 |
Радио транзистора кармана
Первое радио транзистора кармана «прототипа» было показано INTERMETALL (компанией основанной Херберт Mataré в 1952) на Internationale Funkausstellung Düsseldorf между 29-ое августа 1953 и 6-ого сентября 1953. Первое радио транзистора кармана «продукции» было регентством TR-1, выпущенным в октябре 1954.
Массовое производство
В 1950s, египетский инженер Mohamed Atalla расследовал поверхностные свойства полупроводников кремния на лабораториях колокола, где он предложил новый метод изготовления полупроводникового устройства, покрывая кремниевую пластину с изолирующим слоем окиси кремния так как электричество смогло надежно прорезать к проводя кремнию ниже, преодолевая поверхностные государства которые предотвратили электричество от достижения semiconducting слоя. Это как запассивированность поверхности, метод который стал критическим к индустрии полупроводника как она позже делал возможным массовое производство интегральных схема кремния.
Видео
Видео
