Mosfet Irfz44ns версии Через-отверстия Hauni Protos Nano для машин Kretek

Mosfet Irfz44ns версии Через-отверстия Hauni Protos Nano для машин Kretek

Транзистор кремния

Первый работая транзистор кремния был развит на лабораториях колокола 26-ого января 1954, Моррис Tanenbaum. Первый коммерчески транзистор кремния был произведен Texas Instruments в 1954. Это была работой Teal Гордон, специалистом в растя кристаллах особой чистоты, которые на лабораториях колокола.

Высокочастотный транзистор

Первый высокочастотный транзистор был германиевым триодом поверхност-барьера развитым Philco в 1953, способный на работать до 60 MHz. Эти были сделаны путем вытравлять депрессии в n типа основание германия из обеих сторон с двигателями индия (III) сульфатизируют до тех пор пока это не будет немного ten-thousandths дюйма толщиной. Индий гальванизировал в депрессии сформировал сборник и излучатель.

Транзистор Пункт-контакта

В 1948, транзистор пункт-контакта независимо был изобретен немецкими физиками Херберт Mataré и Генрихом Welker пока работающ на des Freins et Signaux Вестингауз Compagnie, дочерней компании Вестингауз расположенной в Париже. Mataré имело предыдущий опыт в превращаясь кристаллических выпрямителях тока от кремния и германия в немецком усилии радиолокатора во время Второй Мировой Войны. Используя это знание, он начал исследовать явление «взаимодействия» в 1947.